-
شماره راهنما
805پ
-
پديد آورنده
اسلامي ، بهارك
-
عنوان
اثر دز جذب شده گاما روي مشخصه هاي ترانزيستور FET به عنوان دزيمتر
-
عنوان به انگليسي
Effect of Gamma Ray Absorbed Dose on the FET Transistor Parameters as a Dosimeter
-
مقطع تحصيلي
دكتري تخصصي(ph.D)
-
رشته تحصيلي
فيزيك هسته اي
-
محل تحصيل
دانشگاه پيام نور مركزتحصيلات تكميلي تهران
-
سال تحصيل
1395
-
تاريخ دفاع
1395/6/28
-
وضعيت پايان نامه
عالي
-
مشخصات ظاهري
162ص.
-
استاد راهنما
اشرفي ، صالح
-
استاد مشاور
هاشمي زاده عقدا ، سيد علي
-
كتابنامه
139-147
-
توصيفگر فارسي
ماسفت، دزيمتري، پرتودهي فعال وغيرفعال، ولتاژآستانه، حساسيت، محوشدگي
-
چكيده
يكي از ابزارهاي مهم در دزيمتري استفاده از دزيمترهاي ماسفت مي باشد. هدف اصلي اين رساله مطالعه تاثير تابش گاما بر روي ماسفتها و بررسي امكان استفاده از ترانزيستورهاي ماسفت به عنوان دزيمتر تابش گاما مي باشد. اين دزيمترها به خاطر اندازه كوچك، هزينه توليد كمتر، قابليت بازتوليد، حداقل توان مورد نياز براي عملكرد، سيگنال منظم و پردازش داده ها، بهترين امكان نمايش دز را فراهم مي كنند. دزيمترهاي تابشي ماسفت در زمينه هاي مختلفي از جمله صنايع فضايي، نظامي، هسته اي، پرتوپزشكي، راديولوژي، و راديوتراپي و دزيمترهاي شخصي كاربردهاي حائز اهميتي دارند. در اين رساله، با بررسي ترانزيستورهاي تجاري قابل دسترس در بازار توانستيم مشخصه هاي اصلي يك دزيمتر ايده آل را با استفاده از ماسفتها مورد ارزيابي قرار دهيم. با پرتودهي ماسفتها در دو حالت فعال و غير فعال، و انتخاب تغييرات ولتاژ آستانه به عنوان پارامتر دزيمتري، يافته ايم كه ماسفتهاي انتخابي رفتار خطي خوبي در شيفت ولتاژ آستانه شان با دز تابش از خود نشان مي دهند. براي بازخواني دز از يك آناليزر نيم رساناي الكترونيكي استفاده كرده ايم و با استفاده از مدار ديگري براي بازخواني دز تابش جذب شده، نيز نتايج قابل ملاحظه اي حاصل شده است. و با مقايسه نتايج حاصله به مقايسه دو روش مختلف به كار برده شده براي بازخواني دز پرداخته ايم. همچنين درمورد حساسيت، تاثير شدت دز، محوشدگي در دماي اتاق، نتايج خوبي بدست آمده است. سپس با ارائه يك روش جديد، محدوده عملكرد خطي را افزايش داده ايم. قابليت استفاده مجدد دزيمترهاي ماسفت نيز مورد ارزيابي قرار گرفته است.
-
تاريخ نمايه سازي
1395/9/1
-
شماره ركورد
38720
-
لينک به اين مدرک :